Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPS050N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Numer części
IPS050N03LGBKMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3200pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15130 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPS050N03LGBKMA1
IPS050N03LGBKMA1 Części elektroniczne
IPS050N03LGBKMA1 Obroty
IPS050N03LGBKMA1 Dostawca
IPS050N03LGBKMA1 Dystrybutor
IPS050N03LGBKMA1 Tabela danych
IPS050N03LGBKMA1 Zdjęcia
IPS050N03LGBKMA1 Cena
IPS050N03LGBKMA1 Oferta
IPS050N03LGBKMA1 Najniższa cena
IPS050N03LGBKMA1 Szukaj
IPS050N03LGBKMA1 Nabywczy
IPS050N03LGBKMA1 Chip