Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPS040N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
Numer części
IPS040N03LGAKMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48902 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPS040N03LGAKMA1
IPS040N03LGAKMA1 Części elektroniczne
IPS040N03LGAKMA1 Obroty
IPS040N03LGAKMA1 Dostawca
IPS040N03LGAKMA1 Dystrybutor
IPS040N03LGAKMA1 Tabela danych
IPS040N03LGAKMA1 Zdjęcia
IPS040N03LGAKMA1 Cena
IPS040N03LGAKMA1 Oferta
IPS040N03LGAKMA1 Najniższa cena
IPS040N03LGAKMA1 Szukaj
IPS040N03LGAKMA1 Nabywczy
IPS040N03LGAKMA1 Chip