Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Numer części
IPL60R105P7AUMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™ P7
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
4-PowerTSFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-VSON-4
Rozpraszanie mocy (maks.)
137W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 530µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1952pF @ 400V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39162 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPL60R105P7AUMA1
IPL60R105P7AUMA1 Części elektroniczne
IPL60R105P7AUMA1 Obroty
IPL60R105P7AUMA1 Dostawca
IPL60R105P7AUMA1 Dystrybutor
IPL60R105P7AUMA1 Tabela danych
IPL60R105P7AUMA1 Zdjęcia
IPL60R105P7AUMA1 Cena
IPL60R105P7AUMA1 Oferta
IPL60R105P7AUMA1 Najniższa cena
IPL60R105P7AUMA1 Szukaj
IPL60R105P7AUMA1 Nabywczy
IPL60R105P7AUMA1 Chip