Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Numer części
IPI032N06N3 G
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
188W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
165nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13000pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53450 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPI032N06N3 G
IPI032N06N3 G Części elektroniczne
IPI032N06N3 G Obroty
IPI032N06N3 G Dostawca
IPI032N06N3 G Dystrybutor
IPI032N06N3 G Tabela danych
IPI032N06N3 G Zdjęcia
IPI032N06N3 G Cena
IPI032N06N3 G Oferta
IPI032N06N3 G Najniższa cena
IPI032N06N3 G Szukaj
IPI032N06N3 G Nabywczy
IPI032N06N3 G Chip