IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Numer części
IPD50R650CEBTMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
342pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
13V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43952 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1 Części elektroniczne
IPD50R650CEBTMA1 Obroty
IPD50R650CEBTMA1 Dostawca
IPD50R650CEBTMA1 Dystrybutor
IPD50R650CEBTMA1 Tabela danych
IPD50R650CEBTMA1 Zdjęcia
IPD50R650CEBTMA1 Cena
IPD50R650CEBTMA1 Oferta
IPD50R650CEBTMA1 Najniższa cena
IPD50R650CEBTMA1 Szukaj
IPD50R650CEBTMA1 Nabywczy
IPD50R650CEBTMA1 Chip