IPB65R125C7ATMA2
MOSFET N-CH TO263-3
Numer części
IPB65R125C7ATMA2
Producent/marka
Seria
CoolMOS™ C7
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
101W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1670pF @ 400V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20269 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB65R125C7ATMA2
IPB65R125C7ATMA2 Części elektroniczne
IPB65R125C7ATMA2 Obroty
IPB65R125C7ATMA2 Dostawca
IPB65R125C7ATMA2 Dystrybutor
IPB65R125C7ATMA2 Tabela danych
IPB65R125C7ATMA2 Zdjęcia
IPB65R125C7ATMA2 Cena
IPB65R125C7ATMA2 Oferta
IPB65R125C7ATMA2 Najniższa cena
IPB65R125C7ATMA2 Szukaj
IPB65R125C7ATMA2 Nabywczy
IPB65R125C7ATMA2 Chip