IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Numer części
IPB60R080P7ATMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™ P7
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
129W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2180pF @ 400V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17237 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1 Części elektroniczne
IPB60R080P7ATMA1 Obroty
IPB60R080P7ATMA1 Dostawca
IPB60R080P7ATMA1 Dystrybutor
IPB60R080P7ATMA1 Tabela danych
IPB60R080P7ATMA1 Zdjęcia
IPB60R080P7ATMA1 Cena
IPB60R080P7ATMA1 Oferta
IPB60R080P7ATMA1 Najniższa cena
IPB60R080P7ATMA1 Szukaj
IPB60R080P7ATMA1 Nabywczy
IPB60R080P7ATMA1 Chip