Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB160N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Numer części
IPB160N04S2L03ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-7-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
230nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6000pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29380 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB160N04S2L03ATMA1
IPB160N04S2L03ATMA1 Części elektroniczne
IPB160N04S2L03ATMA1 Obroty
IPB160N04S2L03ATMA1 Dostawca
IPB160N04S2L03ATMA1 Dystrybutor
IPB160N04S2L03ATMA1 Tabela danych
IPB160N04S2L03ATMA1 Zdjęcia
IPB160N04S2L03ATMA1 Cena
IPB160N04S2L03ATMA1 Oferta
IPB160N04S2L03ATMA1 Najniższa cena
IPB160N04S2L03ATMA1 Szukaj
IPB160N04S2L03ATMA1 Nabywczy
IPB160N04S2L03ATMA1 Chip