Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AUIRF7309QTR
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Numer części
AUIRF7309QTR
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
1.4W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
520pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38615 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AUIRF7309QTR
AUIRF7309QTR Części elektroniczne
AUIRF7309QTR Obroty
AUIRF7309QTR Dostawca
AUIRF7309QTR Dystrybutor
AUIRF7309QTR Tabela danych
AUIRF7309QTR Zdjęcia
AUIRF7309QTR Cena
AUIRF7309QTR Oferta
AUIRF7309QTR Najniższa cena
AUIRF7309QTR Szukaj
AUIRF7309QTR Nabywczy
AUIRF7309QTR Chip