Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP1M018A020PG
MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
Numer części
GP1M018A020PG
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
950pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38707 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe GP1M018A020PG
GP1M018A020PG Części elektroniczne
GP1M018A020PG Obroty
GP1M018A020PG Dostawca
GP1M018A020PG Dystrybutor
GP1M018A020PG Tabela danych
GP1M018A020PG Zdjęcia
GP1M018A020PG Cena
GP1M018A020PG Oferta
GP1M018A020PG Najniższa cena
GP1M018A020PG Szukaj
GP1M018A020PG Nabywczy
GP1M018A020PG Chip