Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Numer części
GP1M018A020FG
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F
Rozpraszanie mocy (maks.)
30.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
950pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47980 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe GP1M018A020FG
GP1M018A020FG Części elektroniczne
GP1M018A020FG Obroty
GP1M018A020FG Dostawca
GP1M018A020FG Dystrybutor
GP1M018A020FG Tabela danych
GP1M018A020FG Zdjęcia
GP1M018A020FG Cena
GP1M018A020FG Oferta
GP1M018A020FG Najniższa cena
GP1M018A020FG Szukaj
GP1M018A020FG Nabywczy
GP1M018A020FG Chip