Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP1M010A080H
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Numer części
GP1M010A080H
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
290W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
53nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2336pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34521 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe GP1M010A080H
GP1M010A080H Części elektroniczne
GP1M010A080H Obroty
GP1M010A080H Dostawca
GP1M010A080H Dystrybutor
GP1M010A080H Tabela danych
GP1M010A080H Zdjęcia
GP1M010A080H Cena
GP1M010A080H Oferta
GP1M010A080H Najniższa cena
GP1M010A080H Szukaj
GP1M010A080H Nabywczy
GP1M010A080H Chip