Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP1M009A020HG
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Numer części
GP1M009A020HG
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.6nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
414pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46297 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe GP1M009A020HG
GP1M009A020HG Części elektroniczne
GP1M009A020HG Obroty
GP1M009A020HG Dostawca
GP1M009A020HG Dystrybutor
GP1M009A020HG Tabela danych
GP1M009A020HG Zdjęcia
GP1M009A020HG Cena
GP1M009A020HG Oferta
GP1M009A020HG Najniższa cena
GP1M009A020HG Szukaj
GP1M009A020HG Nabywczy
GP1M009A020HG Chip