Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
GP1M008A025PG
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
Numer części
GP1M008A025PG
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
423pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8432 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe GP1M008A025PG
GP1M008A025PG Części elektroniczne
GP1M008A025PG Obroty
GP1M008A025PG Dostawca
GP1M008A025PG Dystrybutor
GP1M008A025PG Tabela danych
GP1M008A025PG Zdjęcia
GP1M008A025PG Cena
GP1M008A025PG Oferta
GP1M008A025PG Najniższa cena
GP1M008A025PG Szukaj
GP1M008A025PG Nabywczy
GP1M008A025PG Chip