ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Numer części
ZXMN6A11GTA
Producent/marka
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
330pF @ 40V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29802 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe ZXMN6A11GTA
ZXMN6A11GTA Części elektroniczne
ZXMN6A11GTA Obroty
ZXMN6A11GTA Dostawca
ZXMN6A11GTA Dystrybutor
ZXMN6A11GTA Tabela danych
ZXMN6A11GTA Zdjęcia
ZXMN6A11GTA Cena
ZXMN6A11GTA Oferta
ZXMN6A11GTA Najniższa cena
ZXMN6A11GTA Szukaj
ZXMN6A11GTA Nabywczy
ZXMN6A11GTA Chip