ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Numer części
ZXMN3F31DN8TA
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
1.8W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.9nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
608pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41815 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA Części elektroniczne
ZXMN3F31DN8TA Obroty
ZXMN3F31DN8TA Dostawca
ZXMN3F31DN8TA Dystrybutor
ZXMN3F31DN8TA Tabela danych
ZXMN3F31DN8TA Zdjęcia
ZXMN3F31DN8TA Cena
ZXMN3F31DN8TA Oferta
ZXMN3F31DN8TA Najniższa cena
ZXMN3F31DN8TA Szukaj
ZXMN3F31DN8TA Nabywczy
ZXMN3F31DN8TA Chip