ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Numer części
ZXMN10B08E6TA
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-26
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
497pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.3V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53850 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B08E6TA Części elektroniczne
ZXMN10B08E6TA Obroty
ZXMN10B08E6TA Dostawca
ZXMN10B08E6TA Dystrybutor
ZXMN10B08E6TA Tabela danych
ZXMN10B08E6TA Zdjęcia
ZXMN10B08E6TA Cena
ZXMN10B08E6TA Oferta
ZXMN10B08E6TA Najniższa cena
ZXMN10B08E6TA Szukaj
ZXMN10B08E6TA Nabywczy
ZXMN10B08E6TA Chip