Kup Diodes Incorporated DMN3016LFDE-7 MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

DMN3016LFDE-7

MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Numer części

DMN3016LFDE-7

Producent/marka

Diodes Incorporated

Seria

Stan części

Active

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

6-UDFN Exposed Pad

Pakiet urządzeń dostawcy

U-DFN2020-6 (Type E)

Rozpraszanie mocy (maks.)

730mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1415pF @ 15V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 42920 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane