DMN2011UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Numer części
DMN2011UFDF-7
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-UDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type F)
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2248pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 25892 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7 Części elektroniczne
DMN2011UFDF-7 Obroty
DMN2011UFDF-7 Dostawca
DMN2011UFDF-7 Dystrybutor
DMN2011UFDF-7 Tabela danych
DMN2011UFDF-7 Zdjęcia
DMN2011UFDF-7 Cena
DMN2011UFDF-7 Oferta
DMN2011UFDF-7 Najniższa cena
DMN2011UFDF-7 Szukaj
DMN2011UFDF-7 Nabywczy
DMN2011UFDF-7 Chip