DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Numer części
DMN1019USN-7
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-59
Rozpraszanie mocy (maks.)
680mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
50.6nC @ 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2426pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.2V, 2.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45833 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe DMN1019USN-7
DMN1019USN-7 Części elektroniczne
DMN1019USN-7 Obroty
DMN1019USN-7 Dostawca
DMN1019USN-7 Dystrybutor
DMN1019USN-7 Tabela danych
DMN1019USN-7 Zdjęcia
DMN1019USN-7 Cena
DMN1019USN-7 Oferta
DMN1019USN-7 Najniższa cena
DMN1019USN-7 Szukaj
DMN1019USN-7 Nabywczy
DMN1019USN-7 Chip