Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
C3M0120100J
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Numer części
C3M0120100J
Producent/marka
Seria
C3M™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK-7
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21.5nC @ 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350pF @ 600V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
15V
Vgs (maks.)
+15V, -4V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41069 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe C3M0120100J
C3M0120100J Części elektroniczne
C3M0120100J Obroty
C3M0120100J Dostawca
C3M0120100J Dystrybutor
C3M0120100J Tabela danych
C3M0120100J Zdjęcia
C3M0120100J Cena
C3M0120100J Oferta
C3M0120100J Najniższa cena
C3M0120100J Szukaj
C3M0120100J Nabywczy
C3M0120100J Chip