Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AON6532P

AON6532P

MOSFET N-CH DFN
Numer części
AON6532P
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
-
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
35.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
710mV @ 1A
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1080pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26000 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe AON6532P
AON6532P Części elektroniczne
AON6532P Obroty
AON6532P Dostawca
AON6532P Dystrybutor
AON6532P Tabela danych
AON6532P Zdjęcia
AON6532P Cena
AON6532P Oferta
AON6532P Najniższa cena
AON6532P Szukaj
AON6532P Nabywczy
AON6532P Chip