Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
AON2701_001
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Numer części
AON2701_001
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-WDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
6-DFN (2x2)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
Schottky Diode (Body)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
700pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53771 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AON2701_001
AON2701_001 Części elektroniczne
AON2701_001 Obroty
AON2701_001 Dostawca
AON2701_001 Dystrybutor
AON2701_001 Tabela danych
AON2701_001 Zdjęcia
AON2701_001 Cena
AON2701_001 Oferta
AON2701_001 Najniższa cena
AON2701_001 Szukaj
AON2701_001 Nabywczy
AON2701_001 Chip