AOB11N60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Numer części
AOB11N60L
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D²Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
272W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1990pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16468 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe AOB11N60L
AOB11N60L Części elektroniczne
AOB11N60L Obroty
AOB11N60L Dostawca
AOB11N60L Dystrybutor
AOB11N60L Tabela danych
AOB11N60L Zdjęcia
AOB11N60L Cena
AOB11N60L Oferta
AOB11N60L Najniższa cena
AOB11N60L Szukaj
AOB11N60L Nabywczy
AOB11N60L Chip