Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
ALD110908SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Numer części
ALD110908SAL
Producent/marka
Seria
EPAD®
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
temperatura robocza
0°C ~ 70°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
500mW
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
10.6V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 4.8V
Vgs(th) (Max) @ Id
820mV @ 1µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2.5pF @ 5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36936 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe ALD110908SAL
ALD110908SAL Części elektroniczne
ALD110908SAL Obroty
ALD110908SAL Dostawca
ALD110908SAL Dystrybutor
ALD110908SAL Tabela danych
ALD110908SAL Zdjęcia
ALD110908SAL Cena
ALD110908SAL Oferta
ALD110908SAL Najniższa cena
ALD110908SAL Szukaj
ALD110908SAL Nabywczy
ALD110908SAL Chip