The FOD814 consists of two Gallium Arsenide infrared emitting diodes in a 4-pin dual-wire encapsulation, connected in anti-parallel, driving a silicon phototransistor output. The FOD817 series includes a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a Silicon Phototransistor within a 4-pin 2-in-line encapsulation.
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.