onsemi (Ansemi)
Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V
Numer części
1N5821G
Kategoria
Diodes > General Purpose Diodes
Producent/marka
onsemi (Ansemi)
Kapsułkowanie
DO-27
Uszczelka
boxed
Liczba opakowań
500
Opis
The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 87274 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe 1N5821G
1N5821G Części elektroniczne
1N5821G Obroty
1N5821G Dostawca
1N5821G Dystrybutor
1N5821G Tabela danych
1N5821G Zdjęcia
1N5821G Cena
1N5821G Oferta
1N5821G Najniższa cena
1N5821G Szukaj
1N5821G Nabywczy
1N5821G Chip