Kup Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SIZ914DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

Numer części

SIZ914DT-T1-GE3

Producent/marka

Vishay Siliconix

Seria

TrenchFET®

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

8-PowerWDFN

Moc - maks

22.7W, 100W

Pakiet urządzeń dostawcy

8-PowerPair®

Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funkcja FET

Logic Level Gate

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

26nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1208pF @ 15V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 26202 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane